Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

DTA114EE

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DTA114EE. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 1.6mm. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1
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C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 1.6mm. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1
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