DMP3020LSS

DMP3020LSS. C(in): 1802pF. Kosten): 415pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3020LS. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0116 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Verschiedenes: Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Eingangs-/Ausgangsverlust. Funktion: Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.