N-Kanal-Transistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V - FCPF11N60

N-Kanal-Transistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V - FCPF11N60. N-Kanal-Transistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 650V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 11A. Leistung: 36W. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.