Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, TO-220, TO-220, 60V, 10A - D44H8

NPN-Transistor, TO-220, TO-220, 60V, 10A - D44H8
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NPN-Transistor, TO-220, TO-220, 60V, 10A - D44H8. NPN-Transistor, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kollektorstrom: 10A. Transistortyp: NPN. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 90pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H8. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 13:25.

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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 130pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D44H11. Äquivalente: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H11. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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