Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BUZ90

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BUZ90. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 4.5A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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C(in): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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