Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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D44H11

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D44H11. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D44H11. Äquivalente: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H11. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.

Technische Dokumentation

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