Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8A/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/19V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D6/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1249. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC3157. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1265

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Kollektorstrom: 0.02A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Kollektorstrom: 0.05A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3198. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 150mA. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ersatz KTA1267. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 9mm. Menge pro Karton: 1

Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 17A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1295

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 17A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: bei diesem Koffer nur solange der Vorrat reicht!

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1301

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1302. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 14A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1303

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1306

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 8V. Menge pro Karton: 1. Funktion: NF/SL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Hochspannungsschaltanwendungen. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Hinweis: hFE 140...280. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1319

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1