Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V - 2SC3281

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V - 2SC3281
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NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V - 2SC3281. NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1302. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.

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NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 200pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5200 (Q). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 200pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5200 (Q). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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