Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC3263

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2SC3263. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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