2SC3303

2SC3303. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.