Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC3298-PMC

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2SC3298-PMC. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1306. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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2SC5171

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler...
2SC5171
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5171. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
2SC5171
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5171. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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