Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V - 2SC3298-PMC

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V - 2SC3298-PMC
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V - 2SC3298-PMC. NPN-Transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1306. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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2SC5171

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NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut ...
2SC5171
NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: TV, SL. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5171. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1930. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: TV, SL. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5171. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1930. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V
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