Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 0.3A. Temperatur: +135°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epytaxial Planar Type. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HF-Verstärker im VHF-Band

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: E-33. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA940. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 27 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 900mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA966. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA968

Kosten): 3pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 350. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2240BL. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970BL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 3pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C224GR. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970GR. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannungsschaltung, NF-Leistungsverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1011. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

Kosten): 20pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2383 Y. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1013. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kollektorstrom: 0.15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BQ. Temperatur: +155°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BQ. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1037. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: P22/U. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W