Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

TIP35C

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TIP35C. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1450. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 125W. Max Frequenz: 3MHz. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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