NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A - TIP147

NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A - TIP147. NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Widerstand B: Darlington-Transistor. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): 125W. Kosten): -100V. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Hinweis: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronic. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 13:25.