Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TIP42C

TIP42C
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TIP42C. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP41C. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -6A. Leistung: 65W. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 16:25.

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BD244C

BD244C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfigurati...
BD244C
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD244C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 15. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C
BD244C
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD244C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 15. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C
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BD244CG

BD244CG

Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -100V. C(in): -6A. Kosten): 65W....
BD244CG
Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -100V. C(in): -6A. Kosten): 65W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BD244CG
Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -100V. C(in): -6A. Kosten): 65W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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