Transistoren

Funktion: 27.5 & 34m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Menge pro Karton: 2

C(in): 790pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 40V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: 28 & 65m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

C(in): 860pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 30A. IDSS: 0.1uA. IDSS (max): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2780pF. Kosten): 641pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 50uA. IDSS (max): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 (D2PAK). Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 15m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 690pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 75A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 6.2A. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) PBSS4041PX. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6F. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 220 ns. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 35mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 320mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6F. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 85pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: PBSS4041NX. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6g. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 75 ns. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89 (SC-62). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 60mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *08. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P08/T08

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NPN-Schalttransistor. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 130.41594. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 920pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekt-Leistungstransistor, Steuerung des Logikpegels. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 86W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekt-Leistungstransistor, Steuerung des Logikpegels. Id(imp): 180A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 45A. Pd (Verlustleistung, max): 86W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: TrenchMOS transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 25V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 8.7A. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS SOT78. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 500 MHz. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. VCBO: 15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P1J, T1J. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: p2X, t2X, W2X. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 29pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 600mA. Ic(Impuls): 800mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *T2, P2T, T2T, W2T. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2T, T2T, W2T, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: PMV213SN. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kosten): 19pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Kollektorstrom: 0.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Spec info: hFE 80...450. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Kollektorstrom: 0.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Spec info: hFE 240...600. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 75pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Kollektorstrom: 0.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: hFE 80...450. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Kollektorstrom: 0.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: hFE 240...600. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 75pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweckverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 0.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS