P5504ED

P5504ED. C(in): 690pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.