PMV213SN

PMV213SN. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: PMV213SN. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.