Transistoren

Kosten): 3pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Funktion: hFE 25...40. Menge pro Karton: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 6pF. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150000. Minimaler hFE-Gewinn: 25000. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 12V. Funktion: High hFE. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 60pF. Kosten): 6pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -30V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 28V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTP2P50EG. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 24 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1183pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 410pF. Kosten): 114pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 55.7 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Transistor mit Logikpegel-Gate. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M50P03HDLG. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 117 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AE. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTW45N10E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTY100N10E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 96 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 372 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 10640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit Vorspannungswiderstandsnetzwerk. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8B. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 338mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Digitale Transistoren (BRT). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Panasonic NV-SD450. Hinweis: B1GBCFLL0035. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 8B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 9pF. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1

C(in): 1373pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 395 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDP6020P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -0.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1590pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1

C(in): 2960pF. Kosten): 1130pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 225A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 75A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1

C(in): 79pF. Kosten): 10pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.12A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 610. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 610. Funktion: Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter, Zellendesign mit hoher Dichte für niedrigen RDS(ON). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 195pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Gehäuse: SSOT. Gehäuse (laut Datenblatt): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDS352APRL. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 135pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDS355AN_NL. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 195pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Funktion: Dualer 60-V-P- und P-Kanal. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.3A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 2. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xV-MOS. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDT452AP. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDT456P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 4.5pF. Kosten): 10pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW0281. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS