Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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P30N03A

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P30N03A. C(in): 860pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 30A. IDSS: 0.1uA. IDSS (max): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.

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