Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 16.42€ | 19.54€ |
2 - 2 | 15.59€ | 18.55€ |
3 - 4 | 14.77€ | 17.58€ |
5 - 9 | 13.95€ | 16.60€ |
10 - 14 | 13.62€ | 16.21€ |
15 - 19 | 13.30€ | 15.83€ |
20 - 117 | 12.80€ | 15.23€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 16.42€ | 19.54€ |
2 - 2 | 15.59€ | 18.55€ |
3 - 4 | 14.77€ | 17.58€ |
5 - 9 | 13.95€ | 16.60€ |
10 - 14 | 13.62€ | 16.21€ |
15 - 19 | 13.30€ | 15.83€ |
20 - 117 | 12.80€ | 15.23€ |
MTY100N10E. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTY100N10E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 96 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 372 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 10640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.
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