NDS332P

NDS332P. C(in): 195pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Gehäuse: SSOT. Gehäuse (laut Datenblatt): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.