Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NDF10N60ZG

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NDF10N60ZG. C(in): 1373pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 395 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

Technische Dokumentation

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STP10NK60ZFP

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C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transisto...
STP10NK60ZFP
C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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