Transistoren

C(in): 702pF. Kosten): 357pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 256ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 50R380. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 59.6ns. Td(on): 15.2ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Geringer Leistungsverlust durch schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand. Funktion: PFC-Stromversorgungsstufen, Schaltanwendungen, Motorsteuerung, DC-DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 890pF. Kosten): 670pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 375 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PFC-Stromversorgungsstufen, Schaltanwendungen, Motorsteuerung, DC/DC-Wandler. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60R360P. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: JD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 45pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kosten): 9pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y1. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A6A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A6E. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8E. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8K. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.246W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Transistortyp: PNP & NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA42. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

BE-Widerstand: 10. Kosten): 300pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 500mA. Ic(Impuls): 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA06. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(min): 125 MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Kollektorstrom: 500mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Max Frequenz: 100 MHz. Gehäuse: TO-92

Kosten): 3pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.5A. Äquivalente: KSP42. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (ammo pak). Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 500mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA92. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 7pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.3A. Äquivalente: KSP44, CMPSA44. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (ammo pak). Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 750mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.5A. Ic(Impuls): 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92AMMO. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA06. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA56. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA42. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSH10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 650 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor