Transistoren

Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO–3PBL. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21193. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 250V. Kollektorstrom: 16A. Leistung: 200W. Gehäuse: TO-264

C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 260V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL1302A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Funktion: Power-Audio, geringe harmonische Verzerrung. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL4302A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 5V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 5V. Funktion: Power-Audio, geringe harmonische Verzerrung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL4281A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Produktionsdatum: 201446. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW3281A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Produktionsdatum: 2015/04. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2.8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW1302A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Autoelektronik. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 6uA. IDss (min): 0.6uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L2N06CL. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 62V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MMBF170. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 40pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6K. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 25mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 61 S. Pd (Verlustleistung, max): 2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 61S. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6E. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: J-FET-Verstärker. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 61U. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: J-FET-Verstärker. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 61U. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 11pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 60mA. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6W. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 6V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6W. Konditionierungseinheit: 3000

Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 20mA. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6Y. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6Y. Konditionierungseinheit: 3000

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6Y. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -20mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 62 P. Pd (Verlustleistung, max): 0.2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 62P. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: FET. Funktion: VHF/UHF-Verstärker, Oszillator und Mischer. IDSS (max): 30mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6U. Pd (Verlustleistung, max): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6U. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: FET. Funktion: VHF/UHF-Verstärker, Oszillator und Mischer. IDSS (max): 60mA. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6T. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6T. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6T. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 60mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C