Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, TO92, -300V, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - MPSA92

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NPN-Transistor, TO92, -300V, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - MPSA92. NPN-Transistor, TO92, -300V, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Gehäuse: TO92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: PNP. Leistung: 0.625W. Collector-Base-Spannung VCBO: -300V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: 70MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. Serie: MPSA. Strom max 1: Silizium. Max.Voltage IGBT VRSM: 50 MHz. Information: Hochspannungstransistor. MSL: 25. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA42. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 23/07/2025, 15:25.

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NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaktischer PNP-Siliziumtransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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