Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MPSA13

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MPSA13. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(min): 125 MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Kollektorstrom: 500mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Kollektorstrom: 500mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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