Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJL3281A

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MJL3281A. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 260V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL1302A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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