Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJL21196. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.

Technische Dokumentation

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Kosten): 2pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungsl...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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