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MJW3281AG

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MJW3281AG. Kosten): 2.8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW1302A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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