MJW21196

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	7.12€	8.47€
2 - 2	6.77€	8.06€
3 - 4	6.41€	7.63€
5 - 9	6.05€	7.20€
10 - 19	5.91€	7.03€
20 - 29	5.77€	6.87€
30+	5.56€	6.62€

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Set mit 1

MJW21196. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21195. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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