Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BYV42E-150

BYV42E-150
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BYV42E-150. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
BYV42E-200
Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
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