Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BYV27-200-TAP

BYV27-200-TAP
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BYV27-200-TAP. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOD-57. Gehäuse (JEDEC-Standard): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..150uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 07:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS
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