Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

6A100G-R0G

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6A100G-R0G. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 250A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A10. Äquivalente: 6A100G-R0G. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Originalprodukt vom Hersteller Yangzhou Yangjie Electronic. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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P600M

P600M

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8x7.5mm....
P600M
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8x7.5mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
P600M
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8x7.5mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
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