Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. RoHS: ja. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 15mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Erkennung. Hinweis: Schottky-Diode. MRT (maximal): 0.2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: f=1MHz 2pF. Teilung: 4.5x2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V

Vorwärtsstrom (AV): 15mA. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Erkennung. Hinweis: Schottky-Diode. MRT (maximal): 0.2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: ja. Spec info: f=1MHz 2pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 25A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 25A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 1.5mA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SL. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 450mW. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.32V

Vorwärtsstrom (AV): 15mA. IFSM: 50mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Ultrafast switching. Hinweis: Schaltende Schottky-Diode. Hinweis: f=1MHz 2.2pF. Hinweis: VHF/UHF-Erkennung. MRT (maximal): 0.2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -60...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V

Vorwärtsstrom (AV): 300mA. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: 0...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 620mV

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Schaltmodus-Gleichrichter. Hinweis: Ifsm 10Ap. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. IFSM: 400mA. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 0.5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 100mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 310A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky Barrier Rectifier Diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3J. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0,96 V. Durchlassspannung Vf (min): 0.62V

Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: 920App / 5us. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 340A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. VRRM: 150V. Cj: 340pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--Max. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.19V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 200App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 200App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 45A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-Fast Recovery. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Dioden-Tff (25 °C): 200 ns. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). MRT (maximal): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3JU. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+160°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V