Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.76€ | 0.90€ |
5 - 9 | 0.73€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.82€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.77€ |
50 - 99 | 0.63€ | 0.75€ |
100 - 180 | 0.55€ | 0.65€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.76€ | 0.90€ |
5 - 9 | 0.73€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.82€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.77€ |
50 - 99 | 0.63€ | 0.75€ |
100 - 180 | 0.55€ | 0.65€ |
80SQ05. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 8A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.4x7.5mm). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 50V. Anzahl der Terminals: 2. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, axiale Anschlüsse. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
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