Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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40HF10

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40HF10. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)
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