Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1SS133

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1SS133. Vorwärtsstrom (AV): 130mA. IFSM: 400mA. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 0.5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Originalprodukt vom Hersteller ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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