Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

31DF6

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31DF6. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 45A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-Fast Recovery. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Originalprodukt vom Hersteller Nihon Inter Electronics Corp.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V
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