Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MBR10200CT

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MBR10200CT. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 02:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220-3. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.05mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V
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