Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RFD3055LESM

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RFD3055LESM. C(in): 850pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. ID (T=25°C): 12A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3055L. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Logikpegelsteuerung, ESD-Schutz. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

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C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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