PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1.5A, 35V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 50V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W

NPN-Transistor, PCB-Löten, M17/J, 90V/80V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M17/J. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V/80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20V/15V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 25V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD468. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 25V

NPN-Transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SC-71. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8/C, 30V/25V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B647. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD667. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 27pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B668. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD718. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 7A, 170V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 170V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MINI MOLD. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD601. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8/C, 35V, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 60V/50V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD882. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1047. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1133. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Widerstand B: 10. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 47. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PNP-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1138. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1207. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 45V/40V, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A743. Grenzfrequenz ft [MHz]: 120 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1