PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2275

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V/50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 40V/32V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 120V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W

NPN-Transistor, PCB-Löten, M10/J, 100V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M10/J. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623S. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 (SC-62). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BA. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 39pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1683. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-67. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1804. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, 25V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 320 MHz. Funktion: Strobe-Hochstromschaltung. Hinweis: hFE 140...280. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP. Spec info: TO-251 (I-Pak)

NPN-Transistor, 3A, 110V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Hinweis: =4000. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): ATV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TU2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V

NPN-Transistor, 2A, 40V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Hinweis: hFE 180...390. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Spec info: 2SB1240R

NPN-Transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): ATV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Ic(Impuls): 4.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1243 (RN). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1913

NPN-Transistor, 3A, 100V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: >2000. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 6A, 120V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Hinweis: =10000. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1933

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1913

NPN-Transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS