PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 80V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 20V/15V, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.05A, 80V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.03A, 30 v. Kollektorstrom: 0.03A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1A, 40V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1A, 20V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 40V/32V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2073. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Audio/Video. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Spec info: 9mm Höhe. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-Prozess. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2235-Y. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2240. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2275. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V/50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 40V/32V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 120V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W

NPN-Transistor, PCB-Löten, M10/J, 100V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M10/J. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623S. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623T. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 (SC-62). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BA. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: SMD BA0. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 39pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: NF/SL. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1683. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V