PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.5A, 40V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 65V/60V, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 2.5A, 35V. Kollektorstrom: 2.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 160 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Hinweis: Silicon PNP Epitaxial. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar)

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30V/25V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 55V, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 55V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 35V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 80V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 150V, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 20V/15V, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 100V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W

NPN-Transistor, 0.05A, 80V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30V/20V, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 0.03A. Betriebstemperaturbereich min (°C): PNP. Betriebstemperaturbereich max (°C): 30 v

NPN-Transistor, 1A, 40V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): D8A/C. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 45V/35V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 90V, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, 1A, 20V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 90V, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 40V/32V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2073. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Audio/Video. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: 9mm Höhe

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-Prozess. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2235-Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2240. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS