PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 0.1A, 20V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 25V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -60V. C(in): -0.5A. Kosten): 0.85W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 85V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C32716. Grenzfrequenz ft [MHz]: 260 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 260 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-40. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-40

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-40. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -30V. C(in): -0.8A. Kosten): 0.63W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC369. Grenzfrequenz ft [MHz]: 45 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, -20V, -1A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -20V. Kollektorstrom: -1A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Leistung: 0.625W

NPN-Transistor, 0.1A, 180V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. Spec info: TO18

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.4A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 3000. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC517

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC517. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC556B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC546B

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC556B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 280 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, -65V, -0.1A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -65V. Kollektorstrom: -0.1A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Leistung: 0.5W