Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V - 2SB647-SMD

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NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V - 2SB647-SMD. NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 14:25.

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