PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ersatz

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Kollektorstrom: 20mA. Gehäuse: SOT-39. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 13V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. FT: 1250 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 20V. Vebo: 0.3V

NPN-Transistor, TO39, -60V. Gehäuse: TO39. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -60V. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: PNP. Leistung: 0.65W. Collector-Base-Spannung VCBO: -60V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: 50MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 30. Strom max 1: -1A. Serie: BC

NPN-Transistor, 0.1A, 45V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC212BG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 280 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 20V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 25V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 85V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C32716. Grenzfrequenz ft [MHz]: 260 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 260 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-40. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V