Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018

NPN-Transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018
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NPN-Transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018. NPN-Transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 20mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Maximaler hFE-Gewinn: 198. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 15.8k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 10:25.

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NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. C(in): 8pF. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten
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