NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H1

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H1. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-1. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 06:25.