Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V - BUW12A

NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V - BUW12A
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NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V - BUW12A. NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 22:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V
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